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소개 : 미세전자공학의 전망과 동향, 특성의 중요성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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2. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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3. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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4. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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5. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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6. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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7. |
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Chap.2 물질의 특성 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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8. |
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Annex.1 SOI 물질들 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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9. |
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Annex.2 SoI 소자 |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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10. |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (1) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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11. |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (2) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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12. |
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Chap.3 캐패시터와 다이오드 (3) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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13. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (1) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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14. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (2) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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15. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (3) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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16. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (4) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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17. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (5) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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18. |
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Chap.4 MOSFET 측정 (6) |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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19. |
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Annex.2 캐패시터가 없는Floating-body SOI DRAMs |
반도체 특성 평가 : 진보된 SOI 구조의 적용 |
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